Используя нейтронно-активационный анализ в сочетании с разработанным методом послойного электрохимического травления облученных образцов, провели исследование содержания и характера распределения примеси алюминия в кремниевых полупроводниковых структурах диоксид кремния-кремний. Установлены высокий уровень содержания этого элемента, а также крайне неравномерный характер его распределения по объему структуры с накоплением в основном на фазовых границах диоксида кремния и в приповерхностных слоях пластины кремния. Обсуждается влияние примеси алюминия на характеристики формируемых полупроводниковых структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.