Представлен новый вариант визуализации распределения электропроводности и фоточувствительности в полупроводниковых высокоомных (rho<=10⁶ Ом·см) материалах. Используется фотоионизационная система с плоской газоразрядной ячейкой, где исследуемый полупроводник помещается в газоразрядном зазоре между двумя прозрачными металлическими электродами. Электрические неоднородности полупроводника визуализируются в свечении газового разряда и на поверхности полупроводника, обращенной к катоду. Из сравнения полученных изображений с картиной химического травления поверхности полупроводника делается вывод о возможности визуализации этим способом дислокационного узора. Проведен анализ влияния структуры неоднородностей на их разрешение этим методом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.