Исследована зависимость формы линии фотоотражения от концентрации свободных носителей заряда при комнатной температуре. С ростом концентрации зарегистрировано уширение спектров фотоотражения как в области E₀, так и вблизи E₀ + Delta₀. Показан вклад приповерхностной области конечных размеров d_R в формирование отражения и фотоотражения. Выявлено влияние неоднородности распределения электрического поля в указанной области на форму спектра и на экспериментально определяемую напряженность поверхностного электрического поля. Полученные данные могут быть использованы для контроля концентрации свободных носителей заряда в тонких эпитаксиальных слоях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.