Исследована фотолюминесценция из гетероструктуры с одиночной квантовой ямой в системе GaAs-In_0.15Ga_0.85As при больших мощностях возбуждения (до 10⁶ Вт/см²) и высоких концентрациях фотоносителей (~10¹⁴ см^-2). Благодаря заполнению фотоносителями состояний в квантовой яме спектр фотолюминесценции в этих условиях имеет особенности при энергиях, соответствующих оптическим переходам между несколькими подзонами размерного квантования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.