Дан обзор результатов исследований полупроводников A^IIIB^V, легированных редкоземельными элементами, методами ЭПР, ОДМР, ФЛ и обратного розерфордовского рассеяния. Обсуждаются возможные положения атомов редкоземельных элементов в решетке различных полупроводников и их электронная структура. Приведена простая теоретическая модель редкоземельного центра замещения в бинарных полупроводниках. Рассмотрен возможный механизм возбуждения f-f-переходов с участием оже-рекомбинации электронно-дырочной пары в связанном на редкоземельном центре экситоне. Предложены пути развития дальнейших исследований полупроводников А^IIIB^V, легированных редкоземельными элементами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.