Спектры фотопроводимости, обусловленной оптическими переходами из локализованных состояний в квантовых ямах GaAs/AlGaAs в состояния в континууме, сопоставлены со спектрами катодолюминесценции. Структуры были изготовлены методом МОС гидридной эпитаксии с толщинами слоев GaAs 3/ 6, Al_xGa_1-xAs (x=0.28/ 0.35) 30/ 50 нм и числом периодов до 70. Спектры фотопроводимости с максимумом в области длин волн 8/10 мкм имеют особенности, которые можно объяснить, считая существенным возбуждение электронов как с первых уровней размерного квантования в ямах, так и с уровней доноров или хвостов плотности состояний в этих ямах. Основные максимумы в спектрах люминесценции структур соответствуют излучательной рекомбинации электронов на донорах с дырками в квантовых ямах. Энергия активации темнового тока фотоприемников при малых напряжениях и температурах 40/90 K соответствовала порогу фотовозбуждения и была -0.12 эВ. Чувствительность фотоприемников с меза-структурами диаметром 200 мкм составляла 0.8 А/Вт.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.