В работе исследовано влияние примеси галлия на низкотемпературную фотолюминесценцию p-CdTe, легированного при 550^oC диффузией из расплава. Показано, что при отжиге галлий распространяется в кристалл, активно взаимодействуя с остаточными примесями 1-й группы (Cu, Li), и переводит их из состояния Cu_Cd, Li_Cd в междоузлия, проявляя донорные свойства в положении Ga_Cd. Редиффузия теллура из образца снижает концентрацию V_Cd и уменьшает тем самым концентрацию доноров Ga_Cd, что препятствует трансформации проводимости p-> n в приповерхностной области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.