Впервые приводятся полученные методом просвечивающей электронной микроскопии снимки сечения напряженной сверхрешетки (СР) Ge-Ge_1-xSi_x, выращенной гидридным методом. Выявлен характер распределения дефектов, снимающих упругое воздействие подложки Ge на периодическую структуру. Рентгенодифракционным методом прослежен характер зависимости упругой аккомодации в гетерослоях от их состава и толщины. Обнаружено, что упругие напряжения в приповерхностных слоях сверхрешетки оказывают существенное влияние на спектры электроотражения (ЭО) света в видимом диапазоне частот, приводя к сдвигу и расщеплению спектральных линий. Высокое качество выращенных СР обусловливает возможность наблюдения дублетов в спектрах комбинационного рассеяния света, что также отмечается нами впервые.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.