Проведены измерения температурной зависимости фотопроводимости и люкс-амперных характеристик нелегированных пленок alpha-Si : H, подвергнутых предварительному освещению белым светом при различных температурах. Показано, что освещение как при комнатных, так и при более низких температурах подавляет температурное гашение фотопроводимости, причем в области температурного гашения наклон кривых температурной зависимости фотопроводимости зависит от температуры освещения, а люкс-амперные характеристики из суперлинейных переходят в слабо сублинейные. Обсуждается природа центров рекомбинации, обусловливающих подавление гашения и определяющих фотопроводимость в этой области температур, и механизм рекомбинации через пары близких оборванных связей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.