Приводятся результаты исследования зависимости эффективности спонтанного излучения активной области и барьерных слоев от плотности тока в квантово-размерных лазерных диодах на AlGaAs/GaAs. Установлено, что основными причинами возрастания пороговой плотности тока и уменьшения дифференциальной эффективности в лазерных диодах с большими потерями на выход являются возрастание доли неравновесных носителей, рекомбинирующих в волноводных слоях, и электронная утечка в p-эмиттер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.