Фотолюминесценция нелегированного полуизолирующего арсенида галлия, термообработанного при избыточном давлении паров мышьяка
Чень Чао1, Быковский В.А.1, Тарасик М.И.2
1Сямыньский университет,, Сямынь, Китайская народная республика
2Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 31 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.
Исследована низкотемпературная фотолюминесценция (T = 4.2 K) нелегированного полуизолирующего GaAs, выращенного при низком давлении и термообработанного (T=950oС, t=5 ч) при контролируемом давлении паров мышьяка. Получены зависимости интенсивности полос и линий люминесценции с участием акцепторов углерода и глубоких акцепторов Ea=68 мэВ от давления паров мышьяка. Анализ результатов с использованием квазихимических реакций комплексообразования при отжиге позволил интерпретировать глубокий акцептор как двойную вакансию галлия (VGa)2.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук