Исследовалась диффузия водородсодержащих фракций при T=300/ 470^oC в субмикронных пленках SiO₂, термически выращенных на Si. Концентрация водорода и его пространственное распределение определялись по сигналу ЭПР от атомарного водорода, возникающего в SiO₂ в результате радиолиза водородсодержащих комплексов во время облучения электронами (E=0.5/ 8 кэВ) при 77 K. Показано, что существуют как минимум два различных связанных состояния водорода в SiO₂ пленках, дающих при радиолизе атомарный водород, причем одно из этих состояний допускает миграцию водорода уже при комнатных температурах. Определены диффузионные параметры процесса проникновения водорода (дейтерия) в Si0₂ из водных растворов или паров воды. Энергия активации составляет E=(0.76± 0.02) эВ, предэкспоненциальные факторы D₀=(10^-6/ 10^-4) см²/с зависят от способа выращивания пленок. Обнаружен эффект выхода << технологического>> водорода из SiO₂ пленок при электронном облучении SiO₂/Si структур при комнатных температурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.