Показана возможность изучения дефектообразования при химических, радиационных и других воздействиях на поверхность полупроводника с помощью размерно-квантованных структур, в которых встроенные вблизи поверхности квантовые гетероямы используются в качестве зондов - индикаторов дефектов. Этим методом могут быть определены ширина и профиль дефектной области, концентрация фотоэлектрически активных дефектов и некоторые другие характеристики дефектообразования. На гетероструктуре GaAs/In_0.3Ga_0.7As исследовано дефектообразование при анодном окислении и облучении ионами аргона поверхности GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.