Теория термоэлектрических явлений в условиях некорректности температурного приближения
Гуревич Ю.Г.1, Логвинов Г.Н.1, Титов О.Ю.1
1Тернопольский государственный педагогический институт им. Я. О. Галана,, Тернополь, Украина
Поступила в редакцию: 7 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1993 г.
Изучено протекание термоэлектрического тока через полупроводник субмикронных размеров. Рассмотрен случай, когда частота поверхностной релаксации энергии существенно превышает частоту электрон-электронных столкновений. В этой ситуации описание электронного газа с помощью функции распределения Максвелла, а значит, и описание термоэлектрических явлений с помощью электронной температуры и химического потенциала является некорректным. Построена теория этих явлений, не включающая указанные параметры и основанная на представлении об энергетически неоднородной в пространстве функции распределения немаксвелловского вида.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.