Проведены исследования изменения состояния гетерограницы в СЛГС InP/In_1-xGa_xAs с 2МЭГ, выращенных методом ЖФЭ при различных температурах эпитаксии T_ep слоев твердых растворов In_1-xGa_xAs. Показано, что даже незначительное отклонение от оптимальной температуры эпитаксии T^*_ep приводит к снижению подвижности носителей 2МЭГ, связанному с ухудшением качества гетерограницы, вероятно, за счет увеличения концентрации заряженных дефектов и шероховатостей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.