Объектом исследований являлись квантовые нити с субмикронными (до 0.3 мкм) размерами на основе селективно-легированных анизотипных инвертированных гетероструктур In_0.53Ga_0.47As/InP. Для получения таких образцов разработана методика, базирующаяся на использовании оптической фотолитографии и двухступенчатого химического селективного травления. Проведено сопоставление низкотемпературных гальваномагнитных свойств электронного газа в тонких квантовых нитях и в широком образце, а также анализ отрицательного магнитосопротивления тонких нитей в различных состояниях образца в режиме замороженной фотопроводимости. Показано, что с помощью освещения GaAs-светодиодом можно менять поверхностную концентрацию носителей в пределах (0.5/ 3.2)· 10¹¹ см^-2, а ширину проводящего канала в квантовых нитях - от 3 до 900 нм. За счет эффекта замороженной фотопроводимости указанные изменения сохраняются и после выключения света.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.