Исследовались возможности использования сульфидной пассивации поверхности для осуществления повторного роста методом жидкофазной эпитаксии на экспонированных на воздухе эпитаксиальных слоях твердых растворов Al_xGa_1-xAs. Показано, что пассивация поверхности в растворах сульфида натрия позволяет осуществлять повторный рост на Al_xGa_1-xAs при содержании алюминия вплоть до x~= 0.8. При этом качество выращенного слоя определяющим образом зависит от условий пассивации: чем больше содержание алюминия в подложке, тем более концентрированный раствор сульфида натрия должен быть использован для получения высококачественного слоя. Пассивация в растворах сульфида аммония, как оказалось, не обеспечивает повторный рост. Для оптимизации условий пассивации исследовалось травление GaAs и Al_xGa_1-xAs в растворах сульфида натрия. Обнаружено, что процесс травления идет не монотонно, а затухает со временем вплоть до полной остановки процесса. Предложен механизм наблюдаемых эффектов, основанный на химических реакциях, протекающих на поверхности полупроводника в сульфидных растворах. Рассмотрение этих реакций показывает, что состояние поверхности в процессе пассивации определяется как результат двух конкурирующих процессов: травления полупроводника в щелочной среде и образования пассивирующего покрытия вследствие хемосорбции анионов S^-2 на поверхности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.