В работе методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследованы концентрационные профили бериллия, полученные внедрением в InS и InAs ионов Be⁺ с энергией 200 эВ и дозой 10¹⁵ см^-2 с последующим отжигом. Установлено, что при отжиге образцов InSb, при температурах вплоть до 450^oC перераспределения бериллия не происходит. В отличие от InSb, в InAs в результате отжигов при температурах выше 400^oC профиль распределения бериллия существенно модифицируется. При этом в интервале температур 750/800^oC в облученном ионами Be⁺ InAs в области, прилегающей к среднему проецированному пробегу R_p, за счет перестройки введенных при облучении дефектов возникает геттерирующий слой, являющийся стоком для диффундирующего бериллия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.