Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Статические характеристики псевдоморфного селективно-легированного полевого транзистора

Игнатьев А.С.¹, Каминский В.Э.¹, Копылов В.Б.¹, Немцев Г.З.¹

¹Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 23 марта 1993 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изготовлены псевдоморфные селективно-легированные транзисторы на основе системы AlGaAs/InGaAs/GaAs, исследованы их статические характеристики. Показано, что псевдоморфные транзисторы, даже с небольшим значением мольной доли индия, дают значительные преимущества по сравнению с обычными изоморфными на основе AlGaAs/GaAs при использовании для СВЧ применений. Проведен количественный анализ вольт-амперных характеристик.

Т.Дж. Драммонд, У.Т. Месселинк, Х Маркоч. ТИИЭР, \bf 74, 6 (1986)
S. Hiyamizu. Surf. Sci., 170, 727 (1986)
А.А. Кальфа. Электрон. техн., сер. 1, вып. 9, 35 (1987)
N. Ishikawa, T. Kamamoto, K. Kondo. Japan. J. Appl. Phys., \bf 25, L484 (1986)
A. Ketterson, M. Maloney, W.T. Masselink et al. IEEE Electron Dev. Lett., \bf 6, 628 (1985)
T. Henderson, J. Klem, C.K. Peng, J.S. Gedymin, W. Kopp, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., \bf 48, 1080 (1986)
P.C. Cbao, A.J. Tessmer, K.V.J. Duh et al. IEEE Electron Dev. Lett., \bf 11, 59 (1990)
W.E. Hoke, P.S. Lyman, W.H. Labossier, J.C. Huang, M. Zaitlin, H. Hendriks, G. Flynn. J. Vac. Sci. Techn. B, \bf 8, 397 (1990)
S. Hiyamizu, T. Fujii, S. Muto, T. Inata, Y. Nakata, Y. Sugiama, S. Sasa. J. Cryst. Growth, \bf 81, 349 (1987)
C.T. Lui, S.Y. Lin, D.C. Tsui. Appl. Phys. Lett., \bf 53, 2510 (1988)
M.J. Kane, N. Apsley, D.A. Anderson, K.L. Taylor, T. Kerr. J. Phys. C, \bf 18, 5629 (1985)
В.Э. Каминский, М.Г. Кузнецов, В.Г. Мокеров. МЭ, \bf 19, 579 (1990)
В.Э. Каминский. МЭ, 17, 421 (1988)
S.H. Pan, H. Shen, Z. Hang, F.H. Pollak, Weihua Zhuang, Qian Xu, A.P. Roth, R.A. Masut, C. Lacelle, D. Morris. Phys. Rev., \bf 38, 3375 (1988)
N. Shigekawa, T. Furuta, K. Arai. J. Appl. Phys., \bf 69, 4003 (1991)
В.Э. Каминский. ФТП, 25, 453 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель