Вышедшие номера
Статические характеристики псевдоморфного селективно-легированного полевого транзистора
Игнатьев А.С.1, Каминский В.Э.1, Копылов В.Б.1, Немцев Г.З.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Изготовлены псевдоморфные селективно-легированные транзисторы на основе системы AlGaAs/InGaAs/GaAs, исследованы их статические характеристики. Показано, что псевдоморфные транзисторы, даже с небольшим значением мольной доли индия, дают значительные преимущества по сравнению с обычными изоморфными на основе AlGaAs/GaAs при использовании для СВЧ применений. Проведен количественный анализ вольт-амперных характеристик.