Вышедшие номера
Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs
Островский И.В.1, Сайко С.В.1, Савкина Р.К.1
1Киевский университет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 3 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Исследованы амплитудные зависимости релаксационных характеристик акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных полупроводниковых структурах GaAs. Спадающий участок сигнала акустоэдс интерполирован суммой трех экспонент, соответствующих различным типам ловушек на границе раздела эпитаксиального слоя и подложки. При увеличении мощности возбуждающего радиочастотного импульса сильно возрастает вклад в поперечное акустоэлектрическое напряжение глубоко лежащих центров захвата. Это приводит к увеличению времени релаксации сигнала акустоэдс. По релаксационным характеристикам можно определить параметры глубоких центров захвата на границе раздела эпитаксиальный слой-подложка.