Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs
Островский И.В.1, Сайко С.В.1, Савкина Р.К.1
1Киевский университет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 3 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.
Исследованы амплитудные зависимости релаксационных характеристик акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных полупроводниковых структурах GaAs. Спадающий участок сигнала акустоэдс интерполирован суммой трех экспонент, соответствующих различным типам ловушек на границе раздела эпитаксиального слоя и подложки. При увеличении мощности возбуждающего радиочастотного импульса сильно возрастает вклад в поперечное акустоэлектрическое напряжение глубоко лежащих центров захвата. Это приводит к увеличению времени релаксации сигнала акустоэдс. По релаксационным характеристикам можно определить параметры глубоких центров захвата на границе раздела эпитаксиальный слой-подложка.
- Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел. М.: Иностр. лит. (1962)
- A. Cola, M.G. Lupo, L. Vasanelli, A. Valentini. Sol. St. Electron., \bf 36, 785 (1993)
- A. Abbate, K.J. Han, I.V. Ostrowskii, P. Das. Sol. St. Electron., \bf 36, 697 (1993)
- A. Chantre, G. Vinsent, D. Bios. Phys. Rev. B, \bf 23, 5335 (1981)
- F. Palma. J. Appl. Phys., 52, 6749 (1989)
- M. Benabdeslem, I. Ostrowskii. Rev. Phys. Appl., \bf 25, 1005 (1990)
- Ю.В. Гуляев, А.М. Кмита, А.В. Медведь, В.П. Плесский, Н.Н. Шибанов, В.Н. Федорец. ФТТ, \bf 17, 3505 (1975)
- K.J. Han. Electrical Characterization of Semiconductors Using Surface Acoustic Wave, 200. Ph.D.thesis (1992)
- А.В. Ржанов. ФТП, 6, 1495 (1972)
- И.В. Островский, С.В. Сайко. ФТТ, 35, 1043 (1993)
- D. Geguenheim, M. Lannoo. XX Int. Conf. Phys. of Semicond., \bf 1, 453. Thessaloniki (1990)
- G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., \bf 3, 191 (1977)
- A. Mitionneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., \bf 3, 666 (1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук