Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Время жизни квазистационарного состояния электрона в двухбарьерной гетероструктуре

Дымников В.Д.¹, Константинов О.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 6 декабря 1993 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена новая версия известного метода многолучевой интерференции для описания свойств многослойных гетероструктур. Впервые получена аналитическая формула для времени жизни квазистационарного состояния электрона, учитывающая непараболичность его энергетического спектра. Показано, что учет непараболичности уменьшает время жизни в несколько раз. Приведены оценки времени жизни для известной в литературе структуры, которое изменяется от десятка пикосекунд до десятых долей пикосекунды в зависимости от толщины барьера.

Physics of Quantum Electron Devices (ed. by F. Capasso). Springer, Berlin (1990)
Y. Fu, M. Willander. J. Appl. Phys., 72, 3593 (1992)
T.S. Sollner, W.D. Goodhue, P.E. Tannelwald et al. Appl. Phys. Lett., \bf 43, 588 (1983)
Е.А. Волкова, А.М. Попов, О.В. Поповичева. ФТП, \bf 25, 1618 (1991)
G.A. Gamov. Zs. f Phys., 51, 204; 52, 510 (1928)
D.H. Chew, J.N. Shulman et al. Appl. Phys. Lett., \bf 61, 1685 (1992)
B. Ricco, M.Ya. Azbel. Phys. Rev. B, 29, 1979 (1984)
Н.С. Крылов, В.А. Фок. ЖЭТФ, 17, 193 (1947)
М. Борн, В. Вольф. Основы оптики. М.: Наука (1970)
J.H. Smet, T.P. Broekaert, C.G. Fonstad. J. Appl. Phys., \bf 71, 2475 (1992)
The semiconductor Card, publication of Howard Univ. Mater. Sci. Res. Center, D.C. Washington. (1992)
M.G.W. Alexander, M. Nido et al. Appl. Phys. Lett., \bf 55, 2517 (1989)
А.С. Тагер. Электрон. техн., сер. 1, Электроника СВЧ, вып. 9 (403), 19 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель