Отрицательная фотопроводимость в пленках n-InSb
Никольский Ю.А.1
1Борисоглебский государственный педагогический институт,, Борисоглебск, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Установлено, что фотопроводимость перекристаллизованных пленок n-InSb, как и кристаллов, остается отрицательной в области температур 77-380 K при освещенности 2000 лк. Она изменяет знак на положительный при напряженностях электрического поля E>~= 1-2 В/см. Исследования температурной зависимости фотопроводимости перекристаллизованных и поликристаллических пленок показали, что механизм рекомбинации в InSb не зависит от способа приготовления материала и степени легирования.
- В.А. Касьян. ФТТ, 5, 1979 (1963)
- H.H. Wieder, A.R. Clawson. Sol. St. Electron., \bf 8, 467 (1965)
- Л.Г. Парицкий, С.М. Рывкин. ФТП, 1, 718 (1967)
- А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, А.А. Гореленок, Т.С. Лагунова, А.М. Литвак, М.А. Сиповская, С.П. Старосельцева, В.А. Тихомирова, В.В. Шерстнев. ФТП, \bf 26, 1612 (1992)
- Ю.А. Никольский. ФТП, 24, 1322 (1990)
- R.K. Zitter, A.S. Strauss, A.E. Attard. Phys. Rev., \bf 115, 266 (1956)
- О. Маделунг. \it Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., 1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук