Изучен механизм формирования фотоэдс на p-n-переходе антимонида индия при освещении его импульсном излучении CO₂-лазера при температуре жидкого азота. Установлено, что возникающая фотоэдс обусловлена как разогревом носителей заряда излучением, так и генерацией электронно-дырочных пар при двухфотонном поглощении света. Показано, что при прямом смещении p-n-перехода фотоотклик в основном обусловлен разогревом носителей заряда и линейно растет с ростом интенсивности излучения. При обратном смещении перехода доминирующую роль в формировании фотоотклика играет генерация электронно-дырочных пар. Установлено, что максимальная величина вентильной фотоэдс уменьшается с ростом температуры кристаллической решетки вследствие уменьшения высоты потенциального барьера p-n-перехода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.