Фотоотклик p-n-структур на основе InSb при освещении излучением CO 2-лазера
Ашмонтас С.1, Градаускас И.1, Науджюс К.1, Ширмулис Э.1
1(Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва)
Поступила в редакцию: 19 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Изучен механизм формирования фотоэдс на p-n-переходе антимонида индия при освещении его импульсном излучении CO2-лазера при температуре жидкого азота. Установлено, что возникающая фотоэдс обусловлена как разогревом носителей заряда излучением, так и генерацией электронно-дырочных пар при двухфотонном поглощении света. Показано, что при прямом смещении p-n-перехода фотоотклик в основном обусловлен разогревом носителей заряда и линейно растет с ростом интенсивности излучения. При обратном смещении перехода доминирующую роль в формировании фотоотклика играет генерация электронно-дырочных пар. Установлено, что максимальная величина вентильной фотоэдс уменьшается с ростом температуры кристаллической решетки вследствие уменьшения высоты потенциального барьера p-n-перехода.
- С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
- С. Стонис, Э. Ширмулис. ПТЭ, N 3, 162 (1983)
- R. Rousina, J.B. Webb. Semicond. Sci. Techn., \bf 6, C42 (1991)
- C.L. Litter, D.G. Seiler. Appl. Phys. Lett., \bf 46, 986 (1985)
- А.М. Данишевский, А.А. Патрин, С.М. Рывкин, И.Д. Ярошецкий. ЖЭТФ, \bf 56, 1457 (1969)
- H.J. Fossum, W.S. Chen, B. Ancker-Johnson. Phys. Rev. B., \bf 8, 2857 (1973)
- С. Ашмонтас, Э. Ширмулис, С. Стонис. Лит. физ. сб., \bf 24, 76 (1984)
- С.П Ашмонтас, Э.И. Ширмулис. ФТП, 20, 2212 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук