Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование рекомбинации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных структурах p-Cd_xHg_1-xTe/ CdTe СВЧ методом

Бородовский П.А.¹, Булдыгин А.Ф.¹, Ремесник В.Г.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 12 апреля 1994 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен анализ влияния неоднородности состава по толщине эпитаксиального слоя и поверхностной рекомбинации на измеренное СВЧ методом время релаксации фотопроводимости tau при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Показано, что значения tau, полученные при комнатной температуре, коррелируют с профилем неоднородности состава по глубине эпитаксиального слоя, а при температуре жидкого азота - с усредненным по толщине пленки значением x. В эпитаксиальных слоях с концентрацией дырок ниже 10¹⁶ см^-3 tau ограничивается поверхностной рекомбинацией (S>10⁴ см/с).

Н.С. Барышев, Б.Л. Гальмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, \bf 24, 209 (1990)
В.В. Зуев, А.И. Клышевич, А.А. Стяпонавичюс, М.П. Яковлев. ФТП, \bf 26, 171 (1992)
Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Константинова, В.К. Огородников. ФТП, \bf 26, 2202 (1982)
R. Fastow, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., \bf 66, 1705 (1989)
R. Fastow, D. Goren, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., \bf 67, 1749 (1990)
G. Sarusi, A. Zemel, D. Eger. J. Appl. Phys., \bf 72, 2312 (1992)
S.A. Studenikin, I.A. Panaev. Semicond. Sci. Technol., \bf 8, 1324 (1993)
В.А. Заварицкая, А.В. Кудинов, В.А. Миляев, В.А. Никитин, А.М. Прохоров, А.В. Широков. ФТП, \bf 18, 2160 (1984)
П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, Д.Г. Тарло. А.с. СССР N 1689874. БИ, \bf 41 (1991)
A. Jozwikowska, K. Jozwikowska, A. Rogalski. Infr. Phys., \bf 31, 543 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель