Исследование кинетики термостимулированной релаксации объемного заряда в окисле SiO 2 структур металл--окисел--полупроводник, облученных gamma-квантами 60Co
Баринов Ю.В.1, Безбородов В.Н.1, Емельянов В.В.1, Першенков В.С.1
1Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
С помощью термостимулированного отжига объемного заряда исследованы свойства электронных ловушек в подзатворном окисле SiO2 структур металл-окисел-полупроводник, облученных gamma-квантами 60Co в диапазоне температур (174-391) K. Установлено, что заряд электронных ловушек может существенно компенсировать влияние заряда захваченных дырок. Получено распределение плотности электронных ловушек по энергии активации.
- \it Ionizing Radiation effects in MOS Devices and Circuits, ed. by T.P.Ma, P.V.Dressendorfer (J. Welley and Sons, N.Y., 1989)
- D.M. Fleetvood, M.R. Shaneylelt, L.C. Riewe, P.S. Winokur, R.A. Reber. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-40, N 6 (1993)
- A.J. Lelis, T.R Oldhame, H.E. Boesch, F.B. McLean IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-36, 1808 (1989)
- V. Danchenko, P.H. Fang, S.S. Brashears. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-28, 4407 (1981)
- I. Petr. Phys. St. Sol. (a), 93, 711 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук