Трансформация системы дефектов по толщине пластины CdTe при диффузионном легировании галлием
Бабенцов В.Н.1, Власенко А.И.1, Тарбаев Н.И.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 9 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
По толщине пластин CdTe исследовано распределение интенсивности линий низкотемпературной (4.2 K) фотолюминесценции экситонов, связанных на донорах и акцепторах, а также полос донорно-акцепторной излучательной рекомбинации после кратковременного отжига пластин в расплаве Ga, в вакуумированной ампуле или в парах Cd. Установлено, что картина преобразования дефектов по толщине неоднородна и определяется наличием трех областей, в которых преобладают следующие процессы: I - диффузия донорной примеси GaCd путем замещения остаточной примеси I группы ( LiCd), доминировавшей в обарзцах; II - обратная диффузия на поверхность части Li, исходно входившей в состав ( LiCd-LiCd)-комплексов; III - однородная термическая диссоциация таких комплексов или включений Te.
- В.Н. Бабенцов, Л.В. Рашковецкий, Е.А. Сальков, Н.И. Тарбаев. ФТП, 26, 1088 (1992)
- E.Molva, N. Magnea. Phys. St. Sol. (\it b), 102, 475 (1980)
- В.Н. Бабенцов, С.И. Горбань, Л.В. Рашковецкий, Е.А. Сальков. Опт. и спектр. 68, 1397 (1990)
- E. Molva, J.P. Chamonal, J.L. Pautrat. Phys. St. Sol. (\it b), 109, 635 (1982)
- J.M. Franou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat, J.P. Gaillard, A.Million, C. Fontain. J. Cryst. Growth, 72, 220 (1985)
- E. Molva, K. Saminadayar, J.L. Pautrat, E.Ligeon. Sol. St. Commun., 48, 955 (1983)
- Н.Б. Агринская, В.В. Шашкова. ФТП, 22, 1248 (1988)
- В.Н. Бабенцов, Г.В. Бекетов, С.Н. Горбань. ФТП, 27, 504 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук