Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Релаксационная поляризация в кристаллах селенида цинка при фотовозбуждении
1Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина 
Поступила в редакцию: 4 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.
Исследовано влияние фотовозбуждения на действительную (varepsilon') и мнимую (varepsilon'') части комплексной диэлектрической проницаемости varepsilon* кристаллов ZnSe. Представление зависимостей varepsilon'(lambda) и varepsilon''(lambda) в виде диаграмм varepsilon*(lambda) на комплексной плоскости позволило исследовать влияние упругого поля, созданного дефектами структуры, на энергетический спектр центров.
- I.G. Gavrikova, V.P. Migal, A.L. Rvachev. Phys. St. Sol. (a), 37, K21 (1976)
- Л.Г. Кириченко, В.Ф. Петренко. ФТТ, 22, 1590 (1980)
- В.П. Мигаль, А.Л. Рвачев, О.Н. Чугай. ФТП, 19, 1517 (1985)
- С.П. Чумакова, Н.А. Тихомирова, А.В. Гинзберг, Е.К. Лисецкая, В.К. Комарь. Письма ЖТФ, 13, 1379 (1987)
- Y.X. Liu, T.C. McGill. Cryst. Growth, 117, 742 (1992)
- В.В. Соболев. В кн.: \it Собственные энергетические уровни твердых тел группы AIV (Кишинев, Штиинца, 1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
