Проведен расчет магниторезистивного эффекта теплых неравновесных электронов для полупроводников с изотропной параболической зоной. Результаты расчета сравнивались с измерениями магнитосопротивления n-GaAs в случае проводимости неравновесными электронами, полученными в результате ударной ионизации мелких донорных уровней. Хорошее согласие результатов расчета с экспериментом получается при двух предположениях: время релаксации импульса определяется рассеянием на ионах примеси, а время релаксации энергии имеет более сильную зависимость от энергии, чем при рассеянии акустическими фононами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.