Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах InP : As и InP : Ga
Юрьев В.А.1, Калинушкин В.П.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 29 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.
Методом малоуглового рассеяния света с длиной волны в среднем инфракрасном диапазоне проведено исследование крупномасшабных скоплений электрически активных дефектов в монокристаллах InP : As и InP : Ga.
- Y. Homma, M. Tomita, S. Kurosawa, S. Tohno. \it Proc. III Int. Symp. on Defect Recognition and Image Processing for Research and Development of Semiconductors (Tokyo, Japan, Sept. 22--25, 1989)
- В.П. Калинушкин, В.А. Юрьев, Д.И. Мурин. ФТП, 25, 798 (1990)
- V.P. Kalinushkin, V.A. Yuryev, D.I. Murin, M.G. Ploppa. Semicond. Sci. Technol., 7, A252 (1992)
- В.П. Калинушкин. Тр. ИОФАН (М.), 4, 3 (1986)
- В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, Б.В. Зубов и др. ФТТ, 23, 117 (1981)
- С.Е. Заболотский, В.П. Калинушкин, М.Г. Плоппа, Т.М. Мурина. ПТЭ, N 4, 206 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук