Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1995, выпуск 6 » Статья стр. 1083
<<<>>>
Исследование динисторных структур на основе SiC- 6 H
Андреев А.Н.1, Стрельчук А.М.1, Савкина Н.С.1, Снегов Ф.М.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.
PDF версия
В диапазоне температур 500/ 800 K исследованы основные параметры (токи и напряжения переключения и удержания) динисторных структур, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращенных методом вакуумной сублимации.
  1. В.А. Дмитриев, С.Н. Вайнштейн, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 13, 16 (1987)
  2. V.A. Dmitriev, S.N> Vainshtein, M.E. Levinshtein, V.E. Chelnokov. Electron. Lett., 24, 1032 (1988)
  3. J.A. Edmond, J.W. Palmour, C.H. Carter. \it IEEE Device Research Symposium (Charlottesville, 1993)
  4. J.W. Palmour, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter. In: \it Institute of Physics Conference. Ser. 137: \it Silicon Carbide and Related Materials, Proceeding of the 5^th Conference (Washington D.C.), ed. by M.G. Spencer et al. (Institue of Physics Publishing, Bristol and Philadelphia, 1993) p. 499
  5. J.W. Palmour, L.A. Lipkkin. \it Trans. of the Second International High Temperature Electronics Conference (USA, 1994) XI-7
  6. A.N. Andreev, A.M. Strel'chuk, N.S. Savkina, F.M. Snegov, V.E. Chelnokov. \it Final Book of Abstract, E-MRS Spring Meeting (Strasbourg, 1994) E-VII.5
  7. А.Н. Андреев, П.А. Иванов, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, В.Е. Челноков, И.Р. Шапошников. ФТП, 28, 1192 (1994)
  8. М.М. Аникин, Н.Б. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 10, 1768 (1984)
  9. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. Mater. Sci. Eng., BII, 113 (1992)
  10. И.В. Попов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 240, (1985)
  11. С.Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  12. М.М. Anikin, A.S. Zubrilov, A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, A.E. Cherenkov. Sov. Phys. Semicond., 25, 289 (1991)
  13. А.Н. Андреев, Ф.М. Снегов, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 1287 (1994)
  14. A.N. Andreev, M.M. Anikin, A.M. Strel'chuk, V.E. Chelnokov. In: \it Institute of Physics Conference. Ser. 137: \it Silicon Carbide and Related Materials, Proceedings of the 5^th Conference (Washington D.C.,), ed. by M.G. Spencer et al. (Institute of Physics Publishing, Bristol and Philadelphia, 1993.) p. 609
  15. В.А. Кузьмин. \it Тиристоры малой и средней мощности (М., Сов. радио, 1971)
  16. А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. ФТП, 17, 1093 (1993)
  17. Г.В. Лисенков, В.П. Снегирев, А.С. Тагер. Письма ЖТФ, 10, 215 (1984)
  18. Ю.А. Водаков, К.Д. Демаков, Е.Б. Калинина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм. ФТП, 21, 1685 (1987)
  19. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, С.Н. Пятко, В.П. Растегаев, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 133 (1988)
  20. M.M. Anikin, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin, I.V. Chuiko. \it Proceeding in Physics, ed. by G.L. Harris, M.G. Spencer, C.Y. Yang (Berlin, Springer, 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme