Механизмы голубого излучения светодиодов на основе селенида цинка
Ваксман Ю.Ф.1, Краснов А.Н.1, Пуртов Ю.Н.1
1Одесский государственный университет им. М.И.Мечникова, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 4 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.
Светоизлучающие диоды сформированы на основе монокристаллов селенида цинка в результате двухстадийной обработки. Компенсация проводимости n-ZnSe осуществлялась путем легирования кристаллов оловом. Слой полупроводника с дырочной проводимостью получен при легировании компенсированного слоя литием. Предложен механизм наблюдаемого голубого излучения полученных структур. Исследование спектров люминесценции позволило заключить, что излучательная рекомбинация связана со свободными экситонами, взаимодействующими с продольными оптическими фононами и свободными электронами.
- A.N. Krasnov, Yu.N. Purtov, Yu.F. Vaksman, V.V. Serdyuk. J. Cryst. Growth, 125, 373 (1992)
- В.В. Сердюк, Ю.Ф. Ваксман, С.В. Зубрицкий. Фотоэлектроника, 2, 98 (1988)
- С.В. Зубрицкий, Ю.Ф. Ваксман, В.В. Сердюк. ЖПС, 45, 857 (1986)
- J. Merz, K. Nassau, J. Shieber. Phys. Rev. B, 8, 1444 (1973)
- В.П. Грибковский. \it Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, 1975)
- Y. Shirakava, H. Kukimoto. J. Appl. Phys., 51, 2014 (1980)
- Г.Н. Иванова, Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. ФТП, 14, 31 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук