Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизмы голубого излучения светодиодов на основе селенида цинка

Ваксман Ю.Ф.¹, Краснов А.Н.¹, Пуртов Ю.Н.¹

¹Одесский государственный университет им. М.И.Мечникова, Одесса, Украина

Поступила в редакцию: 4 августа 1994 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

PDF версия

Светоизлучающие диоды сформированы на основе монокристаллов селенида цинка в результате двухстадийной обработки. Компенсация проводимости n-ZnSe осуществлялась путем легирования кристаллов оловом. Слой полупроводника с дырочной проводимостью получен при легировании компенсированного слоя литием. Предложен механизм наблюдаемого голубого излучения полученных структур. Исследование спектров люминесценции позволило заключить, что излучательная рекомбинация связана со свободными экситонами, взаимодействующими с продольными оптическими фононами и свободными электронами.

A.N. Krasnov, Yu.N. Purtov, Yu.F. Vaksman, V.V. Serdyuk. J. Cryst. Growth, 125, 373 (1992)
В.В. Сердюк, Ю.Ф. Ваксман, С.В. Зубрицкий. Фотоэлектроника, 2, 98 (1988)
С.В. Зубрицкий, Ю.Ф. Ваксман, В.В. Сердюк. ЖПС, 45, 857 (1986)
J. Merz, K. Nassau, J. Shieber. Phys. Rev. B, 8, 1444 (1973)
В.П. Грибковский. \it Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, 1975)
Y. Shirakava, H. Kukimoto. J. Appl. Phys., 51, 2014 (1980)
Г.Н. Иванова, Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. ФТП, 14, 31 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель