Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Времена жизни и диффузионные длины неравновесных носителей заряда в SiC p- n-структурах

Стрельчук А.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 сентября 1994 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

PDF версия

В работе систематизируются результаты исследования времен жизни и диффузионных длин неравновесных носителей заряда в p-n-структурах на SiC, изготовленных методами сублимационной эпитаксии, ионного легирования, бесконтейнерной жидкостной эпитаксии, низкотемпературной жидкостной эпитаксии. Данные о временах жизни и диффузионных длинах получены на основе исследования вольт-амперных, релаксационных, фотоэлектрических характеристик. Установлена связь между величинами времени жизни, диффузионной длины и характером их температурных зависимостей - с одной стороны, и методом изготовления p-n-структур - с другой.

В.С. Балландович, Г.Н. Виолина. ФТП, 15, 1650 (1981)
В.И. Санкин, Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков. ФТП, 16, 1325 (1982)
А.В. Наумов, В.И. Санкин. ФТП, 23, 1009 (1989)
М.М. Аникин, Н.Б. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. метер., 10, 1768 (1984)
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.Е. Севостьянов, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, В.Е. Челноков, Г.П. Шпынев. Письма ЖТФ, 10, 1053 (1984)
В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, И.В. Коркин, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, Т.А. Сидорова, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 11, 238 (1985)
V.A. Dmitriev, L.B. Elfimov, N.D. Il'inskaya, S.V. Rendakova. Springer Proc. in Phys., 56, 307 (1992)
В.И. Левин, Ю.М. Таиров, М.Г. Траваджян, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 14, 1062 (1978)
В. Шокли. \it Теория электронных полупроводников. Приложение к теории транзисторов (М., Мир, 1953)
S.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
В.В. Евстропов, К.В. Киселев, И.Л. Петрович, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1852 (1984)
М.М. Аникин, В.В. Евстропов, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 647 (1989)
М.М. Аникин, В.В. Евстропов, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 1813 (1989)
А.М. Стрельчук. Автореф. дисс. (С.-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 1992)
М.М. Аникин, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. ФТП, 28, 284 (1994)
V.V. Evstropov, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 589 (1993)
М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, 25, 479 (1991)
M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strel'chuk. Springer Proc. in Phys., 56, 269 (1992)
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 298 (1988)
L. Patrick. J. Appl. Phys., 28, 765 (1957)
C.A.A.J. Greebe. Phil. Res. Rep. Suppl., 1, 1, (1963)
В.И. Павличенко, И.В. Рыжиков. В сб.: \it Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов (Л., 1969) с. 326
Э.Е. Виолин, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 6, 593 (1964)
J.A. Edmond, H.-S. Kong, C.H. Carter. Physica B, 185, 453 (1993)
R.N. Hall. Proc. IRE, 40, 1512 (1952)
Г.Н. Виолина. Автореф. дисс. (Л., ЛЭТИ, 1966)
Г.Ф. Лымарь, Ю.В. Поликанов. В сб.: \it Карбид кремния (Киев, 1966) с. 232
L. Patrick, W.J. Choyke. J. Appl. Phys., 30, 236 (1959)
W.T. Eriksen. In: \it Proc. of the Conf. on Silicon Carbide (Pergamon Press, 1960) p. 376
И.В. Рыжиков, В.И. Павличенко, Т.Г. Кмита. В сб.: \it Карбид кремния (Киев, 1966) с. 308
G.G. Harman, R.L. Raybold. J. Appl. Phys., 32, 1168 (1961)
Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 4, 3170 (1962)
К.Д. Демаков, В.С. Иванов, В.Г. Столярова, В.М. Тарасов. ФТП, 12, 1085 (1978)
В.Г. Воронин, А.А. Глухарев, В.И. Павличенко, Б.В. Пронин, И.В. Рыжиков, Ю.М. Сулейманов. Электрон. техн., сер. 2, 3, 24 (1970)
M. Ikeda, T. Haykawa, S. Yamagiwa, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 50, 8215 (1979)
В.С. Балландович, Г.Н. Виолина. В сб.: \it Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1980) с. 293
С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Гос. изд. физ.-мат. лит., 1963)
P.C. Canepa, P. Malinaric, R.B. Campbell, J. Ostroski. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-11, 262 (1964)
Р.Б. Кэмпбелл, Х.С. Берман. В сб.: \it Карбид кремния (М., 1972) с. 231
R.B. Campbell, H.-C. Chang. Sol. St. Electron., 10, 949 (1967)
А.И. Вейнгер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 13, 2366 (1979)
Н.М. Павлов, М.И. Иглицын, М.Г. Косаганова, В.Н. Соломатин. ФТП, 9, 1279 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель