Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AlN/Al₂O₃

Кузнецов А.Н.¹, Лебедев А.А.¹, Растегаева М.Г.¹, Рогачев Н.А.¹, Теруков Е.И.¹, Щеглов М.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 октября 1994 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе подложек AlN/Al₂O₃ методом реактивного магнетронного распыления получены слои SiC. Показано, что удельное сопротивление слоев меняется на 7 порядков в зависимости от температуры роста (либо последующего отжига), что говорит о возможности существования фазового перехода аморфный-поликристаллический SiC.

\it Полевые транзисторы на арсениде галлия, под ред. Д.Д.Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола (М., Радио и связь, 1988)
S. Nishino, K. Takahashi, H. Tanaka, J. Sarade. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 63 (1994)
S. Misawa, S. Yoshida, S. Gonda. Extens Abstracts (\it The 44th Autumn Meeting, 1983) [Japan Soc. Appl. Phys., 27, p-4-A-11]
W.M. Yim, E.J. Zanzucchi, J.I. Pankowe, M. Ettenberg, S.L. Gilbert. J. Appl. Phys., 44, 296 (1973)
M.P. Callaghan, E. Patterson, B.P. Richards, C.A. Wallace. J. Cryst. Growth, 22, 85 (1974)
И.Г. Пичугин, А.М. Царегородцев. Изв. ЛЭТИ, 302, 3 (1983)
A.O. Lebedev, Yu.V. Melnik, A,M. Tsaregorodtsev. \it Abstracts 1th Int. Conf. on Ep. Growth (Budapest, April 1--7, 1990), p. 116
А.Н. Ефимов, А.О. Лебедев, Ю.В. Мельник, А.М. Царегородцев. \it Тез. 8 Всесоюз. совещ. по росту кристаллов (Харьков, 1992), с. 153
A.O. Lebedev, Yu.V. Melnik, A.M. Tsaregorodtsev. \it Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 405 (1994)
Н.А. Рогачев, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 20, 51 (1994)
G. Pensl, W.J. Choyke. Physica B, 185, 264 (1993)
A.O. Euwrage, S.R. Smith, N. Mitchel. J. Appl. Phys., 75, 3472 (1994)
T. Nagai, K. Yamamoto, I. Kobayashi. Thin Sol. Films, 125, 355 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель