Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Аналитическая модель распространения фронта ударной ионизации в диодной структуре большой площади
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.
Исследуется динамика поперечной неустойчивости фронта ударной ионизации в диодной структуре большой площади. В рамках длинноволнового приближения сформулирована аналитическая модель, получены уравнения эволюции функции распределения площади фронта по продольной координате и дано описание динамики распространения неоднородного фронта.
- B.C. Deloach, D.L. Scharfetter. IEEE Trans. Electron. Dev., 20, 9 (1970)
- И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев. Письма ЖТФ, 5, 950 (1979)
- В.М. Тучкевич, И.В. Грехов. \it Новые методы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
- I.V. Grekhov. SSE, 32, 923 (1989)
- И.В. Грехов, В.М. Ефанов. Письма ЖТФ, 16, вып. 17, 9 (1990)
- И.В. Грехов, В.М. Ефанов. Письма ЖТФ, 14, 2121 (1988)
- Ю.Д. Биленко, М.Е. Левинштейн, М.В. Попова, В.С. Юферев. ФТП, 17, 1812 (1983)
- С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма ЖТФ, 14, 1526 (1989)
- А.М. Минарский, П.Б. Родин. Письма ЖТФ, 20, вып. 12, 38 (1994)
- М.И. Дьяконов, В.Ю. Кочаровский. ЖЭТФ, 95, 1850 (1989)
- И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев, Л.С. Костина, С.В. Шендерей. ЖТФ, 51, 1709 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
