Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение и исследование 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур

Лебедев А.А.¹, Андреев А.Н.¹, Мальцев А.А.¹, Растегаева М.Г.¹, Савкина Н.С.¹, Челноков В.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 25 ноября 1994 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

PDF версия

Показано, что при диффузии бора в 6H-SiC эпитаксиальные p-n-структуры можно значительно повысить напряжение объемного пробоя и уменьшить вероятность поверхностного пробоя последних. Обнаружено, что выбор оптимальной температуры диффузии позволяет также сохранить достаточно малое омическое сопротивление диода при включении в прямом направлении. Проведено исследование величин пробоя 6H-SiC эпитаксиально-диффузионных p-n-структур в широком диапазоне температур.

А.Е. Отблеск, В.Е. Челноков. \it Тр. II Всес. совещ. по широкозонным полупроводникам (Л., 1979) с. 197
А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма в ЖТФ, 7, 1335 (1981)
А.О. Константинов. ФТП, 17, 2124 (1983)
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.Е. Севастьянов, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, В.Е. Челноков, Г.П. Шпынев. Письма ЖТФ, 10, 1053 (1983)
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 298 (1988)
J.A. Edmond, H.-S. Kong, C.H. Carter Jr. Physica B, 185, 453 (1993)
P.G. Neudeck, D.J. Larkin, J.A. Powel, L.G. Matus, C.S. Salipo. Appl. Phys. Lett., 64, 1386 (1994)
Ю.А. Водаков, Н. Жумаев, Б.П. Зверев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, Ю.В. Симахин. ФТП, 11, 373 (1977)
А.И. Вейнгер, Ю.А. Водаков, Ю.Н. Кулев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.И. Соколов. Письма ЖТФ, 6, 1319 (1980)
Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов. \it Тр. II Всес. сов. по широкозонным полупроводникам (Л., 1979) с. 164
И.В. Попов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 240 (1985)
M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strel'chuk. Springer Proc. in Physics, 56, 269 (1992)
А.В. Наумов, В.И. Санкин. ФТП, 23, 1009 (1989)
П. Тейлор. \it Расчет и проектирование тиристоров (М., Энергоатомиздат, 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель