Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1995, выпуск 9 » Статья стр. 1642
<<<>>>
Самоорганизация квантово-размерных напряжений структур InxGa 1-xAs на разориентированных поверхностях GaAs (100) при субмонослойной молекулярно-пучковой эпитаксии
Гурьянов Г.М.1, Цырлин Г.Э.1, Петров В.Н.1, Самсоненко Ю.Б.1, Губанов В.Б.1, Поляков Н.К.1, Голубок А.О.1, Типисев С.Я.1, Мусихина Е.П.1, Леденцов Н.Н.2
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
PDF версия
Методом сканирующей туннельной микроскопии исследовано влияние разориентации поверхности GaAs(100) на формирование квантово-размерных структур InxGa1-xAs при субмонослойной молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что на вицинальной поверхности наблюдается анизотропия в распределении квантово-размерных образований в направлении, отличном от направления разориентации подложки. Полученные результаты свидетельствуют о возможности создания новых типов квантово-размерных образований (квантовые проволоки и упорядоченные массивы квантовых точек) непосредственно при субмонослойном молекулярно-пучковом эпитаксиальном росте.
  1. В.И. Марченко. ЖЭТФ, 81, 1141 (1981)
  2. Y.-W.Mo, B.S. Swartzentruber, R. Kariotis, M.B. Webb, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 63, 2393 (1989)
  3. Y.-W.Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)
  4. R.Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 67, 3812 (1991)
  5. J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 70, 2782 (1993)
  6. M. Krishnamurthy, M. Wassermeier, D.R.M. Williams, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 62, 1922 (1993)
  7. А.О. Голубок, Г.М. Гурьянов, Н.Н. Леденцов, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, С.Я. Типисев, Г.Э. Цырлин. ФТП, 28, 515 (1994)
  8. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 635 (1982)
  9. V. Bressler-Hill, A.Lorke, S. Varma, P.M. Petroff, K. Pond, W.H. Weinberg. Phys. Rev. B, 50, 8479 (1994)
  10. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993)
  11. J.M. Moison, F.Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
  12. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Christen. R. Heitz, J. Bohrer, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kopev, Zn.I. Alferov. \it Proc. 22 th Int. Conf. on Phys. Semicond. (Vancouver, Canada, 1994) (в печати)
  13. M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kopev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett. (в печати)
  14. N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maximov, P.S. Kopev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
  15. H. Lee, N. Nouri, C. Colvard, D. Ackley. J. Cryst. Growth, 95, 292 (1989)
  16. Г.М. Гурьянов, Н.Н. Леденцов, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, А.Г. Филаретов. Письма ЖТФ, 19, 64 (1993)
  17. M. Yana, H. Yokose, Y. Iwai, M. Inoue. J. Cryst. Growth, 111, 609 (1991)
  18. P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, P.S. Kopev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64, 1526 (1994)
  19. A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, V.N. Petrov. \it Ext. Abstracts 7 th Int. Conf. on Vacuum Microelectron. (Grenoble, France, 1994) p. 362
  20. G.M. Guryanov, G.E. Cirlin, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, E.P. Musikhina, V.B. Gubanov, Yu.B. Samsonenko, N.N. Ledentsov. Surf. Sci. (в печати)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme