Вышедшие номера
Самоорганизация квантово-размерных напряжений структур InxGa 1-xAs на разориентированных поверхностях GaAs (100) при субмонослойной молекулярно-пучковой эпитаксии
Гурьянов Г.М.1, Цырлин Г.Э.1, Петров В.Н.1, Самсоненко Ю.Б.1, Губанов В.Б.1, Поляков Н.К.1, Голубок А.О.1, Типисев С.Я.1, Мусихина Е.П.1, Леденцов Н.Н.2
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследовано влияние разориентации поверхности GaAs(100) на формирование квантово-размерных структур InxGa1-xAs при субмонослойной молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что на вицинальной поверхности наблюдается анизотропия в распределении квантово-размерных образований в направлении, отличном от направления разориентации подложки. Полученные результаты свидетельствуют о возможности создания новых типов квантово-размерных образований (квантовые проволоки и упорядоченные массивы квантовых точек) непосредственно при субмонослойном молекулярно-пучковом эпитаксиальном росте.