Вышедшие номера
Фоточувствительность эпитаксиальной структуры p-GaAs/ n-GaAs/ p-Si
Иванютин Л.А.1, Кацапов Ф.М.1, Рахлей С.Ю.1, Цыпленков И.Н.1
1Институт электроники Академии наук Беларуссии,, Минск, Беларуссия
Поступила в редакцию: 21 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Изложены результаты исследований фоточувствительности структуры p-GaAs/n-GaAs/p-Si, полученной выращиванием арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на кремнии с последующей диффузией цинка из бесконечного источника. Выявлено сильное влияние гетероперехода n-GaAs/p-Si на спектральную характеристику диффузионного p-n-перехода в арсениде галлия, приводящее к образованию длинноволнового противоположного по знаку максимума с lambda=0.9 мкм. Обнаружен эффект прыжкового увеличения фототока диффузионного p-n-перехода при переключении свет -> тень -> свет.