Рекомбинационные свойства имплантированных ионами I, III и VIII групп и термически отожженных кристаллов Cd xHg 1- xTe
Ибрагимова М.И.1, Барышев Н.С.1, Жихарев В.А.1, Хайбуллин И.Б.1
1Казанский физико-технический институт Российской академии наук,, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Исследовано влияние ионной имплантации элементов I, III и VIII групп в сочетании с диффузионным термическим отжигом на рекомбинационные свойства CdxHg1-xTe с 0.204=< x=< 0.3. Показано, что после имплантации и последующего отжига в кристаллах CdxHg1-xTe, в которых произошла инверсия типа проводимости n-> p, при температурах ниже 200/150 K доминирует рекомбинация через локальные уровни, расположенные на 25±10 мэВ ниже дна зоны проводимости. Возникающие при этом рекомбинационные центры нейтральны и связаны, по-видимому, с формированием в кристаллах CdxHg1-xTe вакансионных комплексов типа (V HgV Te).
- G.L. Destefanis. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 171 (1985)
- L.O. Bubulac, W.E.Tennant, D.S.Lo, D.D. Edwall, J.C. Robinson, J.C. Chen, G. Bostrup. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 3166 (1987)
- J. Baars, H. Seelewind, Ch. Fritzshe, U. Kaiser, J. Ziegler. J. Cryst. Growth, 86, 762 (1988)
- L.O. Bubulac, D.D. Edwall, D. McConnell, R.E. De Wanes, E.R. Blazejewski, E.R. Gertner. Semicond. Sci. Technol., 5, S45 (1990)
- S.E. Schacham, E. Finkman. Semicond. Sci. Technol., 5, S41 (1990)
- М.И. Ибрагимова, Н.С. Барышев, И.Б. Хайбуллин, Ф.И. Ахмедова, А.П. Фадеева. ФТП, 23, 1249 (1989)
- Ф.И. Ахмедова, Н.С. Барышев, М.И. Ибрагимова, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 21, 575 (1987)
- Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, 24, 209 (1990)
- V.F. Cotton, J.A. Wilson. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 2177 (1986)
- А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, Ю.В. Лиленко, А.С. Петров. ФТП, 15, 676 (1981)
- Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978)
- Н.С. Барышев, М.И. Ибрагимова, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 24, 363 (1990)
- D.L. Polla, R.L.Aggarwal, D.A. Nelson, J.F.Shanley, M.B. Reine. Appl. Phys. Lett., 43, 941 (1983)
- R.G. Pratt, J. Hewett, P. Capper, C.L. Jones, N. Judd. J. Apl. Phys., 60, 2377 (1986)
- D.E. Lacklison, P. Capper. Semicond. Sci. Technol., 2, 33 (1987)
- М.И. Ибрагимова, И.А. Файзрахманов, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 27, 1276 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук