Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние лантаноидов на дефектно-примесный состав эпитаксиальных слоев GaP

Алешин В.П.¹, Бринкевич Д.И.¹, Вабищевич С.А.¹, Соболев Н.А.¹

¹Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

Поступила в редакцию: 3 июля 1995 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами фотолюминесценции и вольт-емкостных измерений исследованы эпитаксиальные слои GaP, легированные редкоземельными элементами Gd и Dy в процессе жидкофазной эпитаксии. Установлено, что введение редкоземельных элементов в расплав приводило к появлению в спектрах фотолюминесценции узкой полосы вблизи 541 нм. Экспериментальные результаты проанализированы с учетом геттерирования донорных примесей в расплаве и образования в кристалле структурных дефектов акцепторного типа.

V. Kovalenko, V. Krasnov, V. Malyshev. Semicond. Sci. Technol., 8, 1755 (1993)
В.Ф. Мастеров, Л.Ф. Захаренков. ФТП, 24, 610 (1990)
Т.А. Лагвилава, М.Г. Мильвидский, Е.В. Соловьева. ФТП, \it 24, 1367 (1990)
S.L. Pyshkin, A. Anedda. Mater. Res. Soc. Proc., 301 [\it Rareearth Doped Semicond. (1993) p. 207]
В.А. Касаткин, Ф.П. Кесаманлы, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 16, 1901 (1980)
X.Z. Wang., B.W. Wessele. Appl. Phys. Lett., 64, 1537 (1994)
В.Ф. Мастеров. ФТП, 27, 1435 (1993)
I.A. Buyanova, A.J. Neuhafen, B.W. Wessels. Appl. Phys. Lett., 61, 2461 (1992)
P.J. Dean, C.J. Frosch, H. Henry. J. Appl. Phys., 39, 5631 (1968)
J.A. Garcia, A. Remon, F. Dominques-Adame, J. Piqueras. Mater. Chem. Phys., 28, 267 (1991)
D.I. Brinkevich, N.M. Kazuchts, V.V. Petrov. Mater. Res. Soc. Proc., 301 [\it Rare-Earth Dored Semicond. (1993) p. 79]
V.V. Borschensy, D.I. Brinkevich, V.V. Petrov, V.S. Prosolovich. Mater. Res. Soc. Proc., 301 [\it Rare-Earth Dored Semicond. (1993) p. 73]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель