Инфракрасное отражение и оптические фононы в эпитаксиальных слоях твердых растворов InxGa1-xAs/GaAs
Копылов А.А.1, Минтаиров А.М.1, Холодилов А.Н.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.
Исследовалось инфракрасное отражение в области спектра 100-400 см-1 слоев InxGa1-xAs (x=0.12-0.26). Проведен анализ спектров отражения для модели ''эпитаксиальный слой - полубесконечная подложка'' с использованием стандартной многоосцилляторной функции диэлектрической проницаемости. Полученные частоты фононов обсуждаются в связи с возможным упорядочением кристаллической решетки твердого раствора.
- M.A. Shahid, S. Mahajan, D.E. Laughlin, H. Cox. Phys. Rev. Lett., 58, 2567 (1987)
- J.E. Bernard, L.G. Ferreira, S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 38, 6338 (1988)
- А.М. Минтаиров, Д.М. Мазуренко, М.А. Синицин, Б.С. Явич. ФТП, 28, 1550 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук