Исследован W-дефект в диодах Шоттки на основе n-InP, облученных электронами. Дефект создается только в области пространственного заряда и является ловушкой для 5 электронов. Выявлены две конфигурации дефекта, одна из которых, A, проявляет свойства центра с отрицательной корреляционой энергией. Преобразование A-конфигурации в метастабильную B-конфигурацию контролируется потерей двух электронов. Предположено, что W-дефект в B-конфигурации состоит из двух фрагментов, на которых локализованы соответственно один и два электрона.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.