Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/ p-InAs

Воронина Т.И.¹, Лагунова Т.С.¹, Михайлова М.П.¹, Моисеев К.Д.¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 мая 1995 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

PDF версия

Приведены сравнительные исследования гальваномагнитных свойств твердых растворов Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y, обогащенных GaSb (x=0.15-0.22), выращенных изопериодными с подложками GaSb и InAs методом жидкофазной эпитаксии. В гетероструктурах с нелегированными слоями GaInAsSb, выращенных на подложке p-InAs, получено высокое значение холловской подвижности u_H=50000-65000 см²/В·с при T=77 K, тогда как для аналогичных слоев того же состава, выращенных на подложке p-GaSb, максимальная подвижность достигала u_H=2600 см²/В·с. Наблюдаемый эффект высокой подвижности объясняется наличием электронного канала на гетерогранице в разъединенном гетеропереходе II типа p-GaInAsSb/p-InAs.

А.Э. Бочкарев, В.Н. Гульгазов, Л.М. Долгинов, А.А. Семин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 23, 1610 (1987)
R. Sankaran, G.A. Antypas. J. Cryst. Growth. 36, 198 (1976)
Yu.P. Yakovlev, A.N. Baranov, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova. SPIE, 1510, 120 (1991)
Yu.P. Yakovlev, A.N. Baranov, A.N. Imenkov, A.A. Popov, V.V. Sherstnev. J. de Phys. IV Suppl. C4; J. de Phys. III, 4, C4 (1994)
И.А. Андреев, М.А. Афраилов, В.Г. Данильченко, М.А. Мирсагатов, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 12, 1311 (1986)
A.N. Baranov, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova, A.A. Rogachev, Yu.P. Yakovlev. Superlat. and Microstruct., 8, 375 (1990)
М.П. Михайлова, И.А. Андреев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 678 (1995)
M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, И.Н. Тимченко, З.И. Чугуева, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 23, 780 (1989)
М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, К.Д. Моисеев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 687 (1995)
А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 1072 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель