Применение нестационарной емкостной спектроскопии для исследования параметров p-n-структур на основе SiC
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
Показано, что применение нестационарной емкостной спектроскопии для исследования свойств диодов, в базе которых имеются перезаряжающиеся при инжекции глубокие центры, позволяет определять диффузионные длины и коэффициенты инжекции неосновных носителей тока в p-n-переходах. Разработанные методики использованы для изучения свойств p-n-структур на основе соединений 6H- и 4H-SiC. Результаты измерений находятся в согласии с известными данными, полученными другими методами.
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, И.В. Попов. А.с. N 1402203, приоритет от 18.07.86
- А.А. Лебедев. А.с. N 1625286, приоритет от 10.07.89
- М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 114 (1985)
- М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 20, 2169 (1986)
- M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. In: \it Semiconductor Interfaces and Microstructures, ed. by Z.C. Feng (World Scientific, Singapore, 1992) p. 280
- М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 298 (1988)
- М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.Е. Севастьянов, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, В.Е. Челноков, Г.П. Шпынев. ЖТФ, 10, 1053 (1984)
- В.И. Санкин, Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков. ФТП, 16, 1325 (1982)
- M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strelchuk. Springer Proc. Phys., 56, 269 (1992)
- S.M. Sze. \it Physics of Semiconductor Devices (John Wiley and Sons., N.Y. 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
