Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Применение электрохимических окисных пленок в технологии полупроводникового карбида кремния
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 22 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
Сообщается о применении электрохимических окисных пленок для: 1) идентификации полярных (0001) и (0001) граней кристаллов карбида кремния, 2) выявления дефектов роста и неоднородностей легирования кристаллов и 3) декорирования механических нарушений от полировки. Для этих целей разработан простой способ формирования электрохимических окисных пленок на поверхности кристаллических пластинок. Его преимущество по сравнению с термическим окислением состоит в том, что не требуются длительные выдержки при высокой температуре и применение агрессивных реактивов, а получаемая информации, как правило, более детальна. Кроме того, электрохимическое окисление применяется в финишной обработке поверхности. Мы разработали способ электро-химико-механического полирования кристаллов SiC.
- W. von Munch, I. Pfaffeneder. J. Electrochem. Soc., 122, 642 (1975)
- J.A. Powell, J.B. Petit, J.N. Edgar, I.G. Jenknis, L.J. Matus, W.J. Choyke, L. Clemen, M. Yoganathan, J.W. Yang, P.Pirouz. Appl. Phys., 59, 183 (1991)
- I.A. Powell, J.B. Petit, J.H. Edgar, I.G. Jenkins, L.J. Matus. Appl. Phys., 59, 333 (1991)
- T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futagi, H. Mimura. Appl. Phys. Lett., 64, 226 (1994)
- J.S. Shor, J. Grimberg, B.-Z. Weiss, A.D. Kurtz. Appl. Phys. Lett., 62, 2836 (1993)
- A. Takazawa, T. Tamura, M. Yamada. Japan J. Appl. Phys., 32, 3148 (1993)
- М.И. Абаев, А.А. Вольфссон, М.И. Карклина, А.Г. Остроумов, В.В. Семенов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 2232 (1979)
- Ю.А. Водаков, Б.С. Вчерашний, Е.И. Радованова. А.с. N 1353226 (1985)
- Ю.А. Водаков, Б.С. Вчерашний, А.О. Константинов, Е.И. Радованова. А.с. N 1679914 (1989)
- H.C. Evitts, H.W. Cooper, S.S. Flaschen. J. Electrochem. Soc., 111, 688 (1964)
- Ю. Лаухе, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 17, 254 (1981)
- A.A. Sitnikova, E.N. Mokhov, E.I. Radovanova. Phys. St. Sol. (a), 135, K45 (1993)
- V.J. Jennings. In: \it Silicon Carbide-1968. Proc. Int. Conf. on SiC, ed. by H.K.Henisch, R. Roy (University Park, Pensylvania, 1968) p. 199. [Рус. пер.: \it Карбид кремния, под ред. С.Н. Горина (М., Мир, 1972) с. 285]
- J.S. Shor, X.G. Zhang, M.N. Ruberto, R.M. Osgood. Springer Proc. in Physics, v. 56. \it Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III, ed. by G.L. Harris, M.G. Spenser, C.Y. Yang, p. 191
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
