Вышедшие номера
Электрофизические характеристики структур Au/CaF 2/ n -Si< 111> с супертонкими (менее 20 нм) слоями CaF 2, выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Альварес Х.К.1, Векслер М.И.1, Грехов И.В.1, Н.С.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены структуры Au/CaF2/n-Si< 111> с толщиной пленки CaF2 d от 1.9 до 20.9 нм. Диэлектрическая прочность выращенных слоев фторида составляет (4-5)· 106 В/см при d<6 нм и порядка 1.5· 106 В/см при 10 нм<d<20 нм. Снижение прочности с ростом толщины связывается с частичной ''релаксацией'' слоя CaF2. Приведены вольт-амперные характеристики структур Au/CaF2/n-Si<111>. Показано, что ток в этих структурах состоит только из электронной компоненты. Объяснено отсутствие фоточувствительности у исследуемых структур для малой энергии фотонов (менее 3 эВ).