Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические характеристики структур Au/CaF₂/ n -Si< 111> с супертонкими (менее 20 нм) слоями CaF₂, выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Альварес Х.К.¹, Векслер М.И.¹, Грехов И.В.¹, Н.С.¹, Шулекин А.Ф.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 июня 1995 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены структуры Au/CaF₂/n-Si< 111> с толщиной пленки CaF₂ d от 1.9 до 20.9 нм. Диэлектрическая прочность выращенных слоев фторида составляет (4-5)· 10⁶ В/см при d<6 нм и порядка 1.5· 10⁶ В/см при 10 нм<d<20 нм. Снижение прочности с ростом толщины связывается с частичной ''релаксацией'' слоя CaF₂. Приведены вольт-амперные характеристики структур Au/CaF₂/n-Si<111>. Показано, что ток в этих структурах состоит только из электронной компоненты. Объяснено отсутствие фоточувствительности у исследуемых структур для малой энергии фотонов (менее 3 эВ).

\it Crystals with fluorite structure: electronic, vibrational and defect properties, ed. by W. Hayes (Clarendon Press, Oxford, 1974)
И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин, М.И. Векслер. ФТП, 27, 88 (1993)
А.А. Величко, С.К. Ноак. Обзоры по электрон. техн. Сер. 3. Микроэлектроника, вып. 7 (1986)
R.W. Fathauer, L.J. Schowalter. J. Electron. Mater., 16, 169 (1987)
F.J. Himpsel, F.U. Hillebrecht, G. Hughes, J.L. Iordan, U.O. Karlsson, F.R. McFeely, J.F. Morar, D. Rieger. Appl. Phys. Lett., 48, 596 (1986)
A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 349 (9174)
С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. [Пер. с англ.: S.M.Sze. \it Physics of Semiconductor Devices (John Wiley and Sons. N. Y., 1981)]
D.J. DiMaria, D. Arnold, E. Cartier. Appl. Phys. Lett., 61, 2329 (1992)
P.V. Dressendorfer, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 36, 933 (1980)
D. Rieger, F.J. Himpsel, U.O. Karlsson, F.R. McFeely, J.F. Morar, J.A. Yarmoff. Phys. Rev. B, 34, 7295 (1986)
V.V. Afanas'ev, S.N. Novikov, N.S. Sokolov, N.L. Yakovlev. Microelectron. Engineering, 15, 139 (1991)
L.V. Schowalter, R.W. Fathauer, F.A. Ponce, G. Anderson, Shin Hashimoto. Mat. Res. Soc. Symp., 67, 125 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель