Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование поверхностной рекомбинации в p- i- n-структурах на основе аморфного гидрированного кремния
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 16 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.
Исследовано влияние поверхностной рекомбинации на фотоэлектрические характеристики структур на основе аморфного гидрированного кремния. Получены аналитические зависимости для фототока барьерных структур на основе a-Si : H, учитывающие вклад поверхностной рекомбинации и позволяющие определять величину эффективной скорости поверхностной рекомбинации. Выполнено исследование влияния параметров изготовления p-слоя и промежуточных обработок p-слоя между процессами нанесения p- и i- слоев на эффективную скорость поверхностной рекомбинации p-i-границы.
- \it Аморфные полупроводники и приборы на их основе, под ред. И. Хамакавы (М., Металлургия, 1986)
- D. Gutkowicz-Krusin. J. Appl. Phys., 52, 5370 (1981)
- M. Hack, M. Shur. J. Appl. Phys., 54, 5858 (1983)
- А.А. Андреев, Б.И. Гильман, Н.А. Феоктистов, В.Ю. Флоринский, Е.И. Теруков. ФТП, 17, 1869 (1983)
- H. Okamoto, H. Kida, S. Nonomura, Y. Hamakawa. Solar cells, 8, 317 (1983)
- W. Kusian, K.P. Ufert, H. Pfleiderer. \it Hydrogenated amorphous silicon, pt. 2 [Sol. St. Phen., 44--46, 823 (1995)]
- С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
