Механизм быстрого роста прямого тока в полупроводниковых диодных структурах
Лейдерман А.Ю.1, Минбаева М.К.1
1Научно-производственное объединение ''Физика солнца'', Физико-технический институт Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 6 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
Обсуждаются экспериментальные вольт-амперные характеристики типа I~ Valpha, полученные на диодных структурах, изготовленных на основе аморфного селена, Ga2S3, CdS-CdTe. Проведено моделирование характеристик на ЭВМ на основе дрейфового механизма омической релаксации прохождения прямого тока с учетом статистики рекомбинации электронов и дырок через глубокие рекомбинационные комплексы с конечным временем внутрикомплексного обмена.
- Г.Б. Абдуллаев, М.А. Талиби. \it Физика селеновых преобразователей (Баку, ЭЛМ, 1981)
- А.В. Симашкевич. \it Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений A^IIB^III (Кишинев, Штиинца, 1980)
- А.А. Чеснис. ФТП, 27, 848 (1993)
- Б.Т. Тагиев, О.Б. Тагиев, Г.А. Касимова. ФТП, 25, 1877 (1991)
- В.Е. Баранюк, В.П. Махний. ФТП, 25, 217 (1991)
- W. Shockley, W. Reed. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
- Ю.В. Гуляев. ФТТ, 3, 385 (1961)
- А.В. Ржанов. ФТТ, 3, 3698 (1961)
- S.R. Dharival, L.S. Kothari, S. Jain. Sol. St. Electron., 24, 749 (1981)
- P.M. Karageorgy-Alkalaev, A.Yu. Leiderman. Phys. St. Sol. (a), 26, 419 (1968)
- P.M. Karageorgy-Alkalaev, A.Yu. Leiderman. Phys. St. Sol. (a), 100, 221 (1987)
- А.Ю. Лейдерман. ДАН УзССР, N 7, 21 (1987)
- А.Ю. Лейдерман. ДАН УзССР, N 4, 25 (1989)
- М.Г. Шейнкман, Н.Е. Корсунская. В кн.: \it Физика соединений AIIBIII (М., Наука, 1986) с. 109
- А.Ю. Лейдерман. ДАН УзССР, N 1, 24 (1989)
- Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. \it Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978)
- К.Б. Толпыго, И.Г. Заславская. ЖТФ, 25, 955 (1955)
- М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- F.K. Dolezalek, W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 4, 97 (1970)
- А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. \it Инжекционно-контактные явления в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
- С.В. Слободчиков, Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов. ФТП, 28, 1155 (1994)
- И.М. Аскеров, В.Ф. Кобелев, В.Ф. Мастеров, О.Б. Тагиев, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Лихолит. ФТП, 23, 1307 (1989)
- V. Lax. Phys. Rev., 119, 1502 (1960)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук