При исследовании электронных явлений в тонких слоях полупроводников с использованием методик измерения адмиттанса или модулированного адмиттанса, а также при изучении полевых транзисторов с барьером Шоттки, как правило, требуется знание аналитической связи между потенциалами на внешней и внутренней границах полупроводникового слоя. В данной работе предложены относительно простые аппроксимации, описывающие с достаточно хорошей точностью распределение потенциала в тонком слое монополярного полупроводника, что облегчает вычисление аналитической связи между потенциалами на внутренней границе раздела слоя и потенциалами его внешней поверхности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.