Исследовалось влияние состава и кристаллической структуры на люминесценцию эпитаксиальных слоев твердых растворов 2H-Al_xGa_1-xN (0=< x=<0.3), выращенных на подложках 6H-SiC с подслоем GaN. Получена зависимость полуширины рентгеновской кривой качания для системы AlGaN от содержания AlN в твердом растворе. Из анализа спектров катодолюминесценции определена зависимость положения полосы люминесценции вблизи края собственного поглощения от состава твердого раствора Al_xGa_1-xN при T=300 K: E(x)=3.39+2.19x+0.65x² (эВ). Изучена зависимость уширения этой полосы при увеличении содержания AlN в твердом растворе. Экспериментальные данные интерпретировались на основе модели уширени краевой полосы люминесценции за счет статистически неупорядоченного распределения компонентов твердого раствора. Показано, что этот механизм приводит к существенно большим уширениям краевой полосы люминесценции для системы AlGaN по сравнению с более узкозонными твердыми растворами A^IIIB^V. Выявлен эффект влияния подслоя GaN на структурные и люминесцентные свойства слоев AlGaN.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.