Вышедшие номера
Фотоэлектрическая спектроскопия мелких акцепторов в Zn xCd yHg 1- x- yTe
Гуцуляк Л.М.1, Иванов-Омский В.И.1, Цыпишка Д.И.1, Андрухив А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Впервые в эпитаксиальных слоях n-ZnxCdyHg1-x-yTe наблюдалось фотовозбуждение мелких акцепторов с помощью метода фотоэлектрической магнитоспектроскопии. Наблюдаемые в спектрах полосы были идентифицированы как переходы из основного состояния акцептора (1S3/2Gamma8) в его возбужденные состояния, которые образуются под уровнями Ландау легких дырок, и с зеемановских подуровней состояния 1S3/2Gamma8 на зеемановские подуровни состояний 3P5/2Gamma8 и 3P5/2Gamma7. Построена эмпирическая диаграмма этих компонент в магнитном поле. Расщепление полосы, связанной с уровнем Ландау 0a, на три компоненты объясняется фотовозбуждением трех химически разных акцепторов (химический сдвиг основного состояния).